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領(lǐng)先同行瑞薩RH4Z2501器件符合IO-Link標(biāo)準(zhǔn)

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瀏覽:- 發(fā)布日期:2023-09-23 16:33:57【
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領(lǐng)先同行瑞薩RH4Z2501器件符合IO-Link標(biāo)準(zhǔn)

RH4Z2501:新型魯棒IO-Link兼容收發(fā)器

工業(yè)4.0正在逐步將智能從PLC帶到傳感單元。新一代傳感器和執(zhí)行器能夠返回診斷信息、觸發(fā)事件,甚至遠(yuǎn)程更新固件。IO-Link協(xié)議(IEC 61131-9)在工廠(chǎng)和過(guò)程自動(dòng)化領(lǐng)域越來(lái)越受歡迎。石英晶振,支持它的工業(yè)設(shè)備保證利用一個(gè)靈活的和維護(hù)良好的協(xié)議,受益于一個(gè)大的用戶(hù)和開(kāi)發(fā)者生態(tài)系統(tǒng)。典型的瑞薩IO-Link傳感器/執(zhí)行器由RH4Z2501 IC、MCU和傳感/執(zhí)行器電路組成:

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MCU通常用于運(yùn)行與IO-Link軟件堆棧并行的檢測(cè)應(yīng)用。IO-Link堆棧與收發(fā)器交互,通過(guò)UART接口(檢測(cè)主機(jī)喚醒信號(hào)的中斷)和OWI等配置數(shù)字接口交換參數(shù)。

作為IO-Link社區(qū)的活躍分子,瑞薩貼片晶振正在向市場(chǎng)推出新的芯片解決方案,以滿(mǎn)足最新的IO-Link產(chǎn)品要求。封裝新“智能傳感器”的外形正在縮小,以節(jié)省資源和制造成本,現(xiàn)在常見(jiàn)的是將傳感器嵌入M8或M5型連接器中。這些新的設(shè)計(jì)要求需要使用集成度更高、抗EMC能力更強(qiáng)的IC,因此限制了額外無(wú)源元件的使用。

石英晶體振蕩器RH4Z2501器件是一款符合IO-Link標(biāo)準(zhǔn)的線(xiàn)路驅(qū)動(dòng)器/電平轉(zhuǎn)換器,采用強(qiáng)大的CMOS混合信號(hào)技術(shù)設(shè)計(jì),允許最高60V的短電源電壓峰值。它提供DFN12 (3x3mm)或WL-CSP15 (2.45x1.65mm)封裝,并配有集成浪涌保護(hù)電路,可在設(shè)計(jì)中隨意跳過(guò)瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)二極管。

PHY內(nèi)置2個(gè)LDO,可以為MCU和檢測(cè)模塊提供所需的3V3和5V電壓軌。其2.5ω的低RDSON有助于提高驅(qū)動(dòng)器的功效,從而改善器件的熱性能:

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PHY有8個(gè)易失性存儲(chǔ)寄存器(存儲(chǔ)其當(dāng)前配置),數(shù)碼電子晶振,可以觸發(fā)報(bào)警并存儲(chǔ)各種診斷信息。這些寄存器可以通過(guò)OWI讀寫(xiě),通常由外部MCU通過(guò)一個(gè)GPIO與IO-Link通信并行處理。

瑞薩還提供了一個(gè)GUI來(lái)簡(jiǎn)化評(píng)估:

圖像


其中兩個(gè)寄存器對(duì)電壓、溫度警告和過(guò)載檢測(cè)等狀態(tài)信息進(jìn)行分組。其它六個(gè)寄存器通常用于測(cè)試、微調(diào)或改變收發(fā)器的工作模式。RH4Z2501可以設(shè)置為IO-Link設(shè)備或單通道IO-Link主機(jī)。


進(jìn)口貼片晶振 品牌 描述 系列 頻率
4MA125000Z4AACTGI Renesas晶振 MEMS OSC XO 125.0000MHZ LVDS SMD 4MA 125 MHz
4MA148500Z3AACTGI Renesas晶振 MEMS OSC XO 148.5000MHZ LVPECL 4MA 148.5 MHz
4MA148500Z4AACTGI Renesas晶振 MEMS OSC XO 148.5000MHZ LVDS SMD 4MA 148.5 MHz
4MA150000Z4AACTGI Renesas晶振 MEMS OSC XO 150.0000MHZ LVDS SMD 4MA 150 MHz
4MA155520Z4AACTGI Renesas晶振 MEMS OSC XO 155.5200MHZ LVDS SMD 4MA 155.52 MHz
4MA156250Z4AACTGI Renesas晶振 MEMS OSC XO 156.2500MHZ LVDS SMD 4MA 156.25 MHz
4MA100000Z3AACUGI8 Renesas晶振 OSC MEMS 100.000MHZ LVPECL SMD 4MA 100 MHz
4MA125000Z3AACUGI8 Renesas晶振 OSC MEMS 125.000MHZ LVPECL SMD 4MA 125 MHz
4MA133333Z3AACUGI8 Renesas晶振 OSC MEMS 133.333MHZ LVPECL SMD 4MA 133.333 MHz
4MA150000Z3AACUGI8 Renesas晶振 OSC MEMS 150.000MHZ LVPECL SMD 4MA 150 MHz
4MA156250Z3AACUGI8 Renesas晶振 OSC MEMS 156.25MHZ LVPECL SMD 4MA 156.25 MHz
4MA200000Z3AACUGI8 Renesas晶振 MEMS OSC XO 200.0000MHZ LVPECL 4MA 200 MHz
4MA050000Z4AACTGI Renesas晶振 MEMS OSC XO 50.0000MHZ LVDS SMD 4MA 50 MHz
4MA050000Z4AACUGI Renesas晶振 MEMS OSC XO 50.0000MHZ LVDS SMD 4MA 50 MHz
4MA050000Z4BACTGI Renesas晶振 MEMS OSC XO 50.0000MHZ LVDS SMD 4MA 50 MHz
4MA050000Z4BACUGI Renesas晶振 MEMS OSC XO 50.0000MHZ LVDS SMD 4MA 50 MHz
4MA066000Z3AACTGI Renesas晶振 MEMS OSC XO 66.0000MHZ LVPECL 4MA 66 MHz
4MA066000Z3AACUGI Renesas晶振 MEMS OSC XO 66.0000MHZ LVPECL 4MA 66 MHz
4MA100000Z3AACTGI 有源晶振 MEMS OSC XO 100.0000MHZ LVPECL 4MA 100 MHz
4MA100000Z3AACUGI Renesas晶振 MEMS OSC XO 100.0000MHZ LVPECL 4MA 100 MHz
4MA100000Z4AACTGI Renesas晶振 MEMS OSC XO 100.0000MHZ LVDS SMD 4MA 100 MHz
4MA100000Z4AACUGI Renesas晶振 MEMS OSC XO 100.0000MHZ LVDS SMD 4MA 100 MHz
4MA125000Z3AACTGI Renesas晶振 MEMS OSC XO 125.0000MHZ LVPECL 4MA 125 MHz
4MA125000Z3AACUGI Renesas晶振 MEMS OSC XO 125.0000MHZ LVPECL 4MA 125 MHz
4MA125000Z4AACTGI8 Renesas晶振 MEMS OSC XO 125.0000MHZ LVDS SMD 4MA 125 MHz
4MA125000Z4AACUGI Renesas晶振 MEMS OSC XO 125.0000MHZ LVDS SMD 4MA 125 MHz
4MA125000Z4AACUGI8 Renesas晶振 MEMS OSC XO 125.0000MHZ LVDS SMD 4MA 125 MHz
4MA125000Z4BACTGI Renesas晶振 MEMS OSC XO 125.0000MHZ LVDS SMD 4MA 125 MHz
4MA125000Z4BACTGI8 Renesas晶振 MEMS OSC XO 125.0000MHZ LVDS SMD 4MA 125 MHz
4MA133000Z3AACTGI Renesas晶振 MEMS OSC XO 133.0000MHZ LVPECL 4MA 133 MHz
4MA133000Z3AACTGI8 Renesas晶振 MEMS OSC XO 133.0000MHZ LVPECL 4MA 133 MHz
4MA133000Z3AACUGI Renesas晶振 MEMS OSC XO 133.0000MHZ LVPECL 4MA 133 MHz
4MA133000Z3AACUGI8 Renesas晶振 MEMS OSC XO 133.0000MHZ LVPECL 4MA 133 MHz
4MA133330Z4AACTGI Renesas晶振 MEMS OSC XO 133.3300MHZ LVDS SMD 4MA 133.33 MHz
4MA133330Z4AACTGI8 Renesas晶振 MEMS OSC XO 133.3300MHZ LVDS SMD 4MA 133.33 MHz