86-0755-27838351
康華爾電子成立至今已有20多年,是國內數一數二的晶振廠家0755-27838351,專業(yè)研發(fā)生產銷售石英晶振,32.768K晶振,石英晶體諧振器,貼片晶振,SAW濾波器等.采用無鉛環(huán)保材料生產,具有精度穩(wěn)定,小體積,重量輕等特點.國產晶振就選康華爾電子,質量好,精度高,價格優(yōu)勢.
康華爾電子多年來在競爭激烈的市場中,以技術占領市場,以質量贏得客戶,是國內口碑極高的晶振供應商.并且憑借自身的努力代理臺灣進口晶振多個品牌,TXC晶振,鴻星晶振,加高晶振,亞陶晶振等.康華爾電子所提供的臺產晶振,均符合德國ROHS環(huán)保指令,具有高質量,高可靠使用特性,咨詢選購熱線0755-27838351.
日本進口晶振在國內口碑一流,高端智能產品使用晶振大都會選擇日產晶振作為首選.康華爾電子憑借自身的努力同時代理KDS晶振,愛普生晶振,精工晶體,京瓷晶振等品牌.所代理石英晶振,石英晶體振蕩器,貼片晶體均符合歐盟ROHS環(huán)保要求,具有高精度,高品質,低插損,耐高溫等特點.
康華爾電子是國內優(yōu)秀的歐美進口晶振供貨商0755-27838351,多年來憑借自身的努力,獲得CTS晶振,FOX晶振,Sitime晶振,瑞康晶振等代理權限.所代理進口晶振,歐美晶振均符合歐盟ROHS環(huán)保指令,并且獲得ISO國際質量管理體系認證.市場常用進口晶振封裝型號康華爾電子均有備貨,可免費提供現貨樣品以及晶振技術解決方案.
32.768K是晶振頻率中最容易讓人記住的數字,32.768K晶振素來有時鐘晶振的稱謂,只要跟數字顯示以及時間相關的產品都少不了一款32.768K晶振.根據不同的產品需求主要分為圓柱晶振和32.768K貼片晶振.常見封裝有2x6,3x8,7.0x1.5,3.2x1.5,2.0x1.2等體積.康華爾電子提供各種32.768K晶振,音叉表晶,價格優(yōu)質,咨詢熱線0755-27838351.
有源晶振是一款自身帶有電源電壓功能的石英晶體振蕩器,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V~5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數碼相機,DSL和其他IT產品的晶振應用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數碼領域,符合RoHS/無鉛.
愛普生有源晶振X1G005591030700和無源晶振振動頻率區(qū)別
當外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率由晶片的尺寸和形狀決定相等時,機械振動的幅度將急劇增加,這種現象稱為壓電諧振.壓電諧振狀態(tài)的建立和維持都必須借助于振蕩器電路才能實現.愛普生貼片晶振是一個串聯型振蕩器,晶體管T1和T2構成的兩級放大器,石英晶體XT與電容C2構成LC電路.在這個電路中石英晶體相當于一個電感,C2為可變電容器,調節(jié)其容量即可使電路進入諧振狀態(tài).
愛普生OSC晶振,X1G005591030700有源XO晶振
愛普生有源晶振編碼
型號
頻率
長X寬X高
輸出波
電源電壓
工作溫度
頻差
最大值
X1G005591029100
SG-8018CE
20.160000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 4.4 mA
X1G005591029200
SG-8018CE
47.500000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 4.4 mA
X1G005591029300
SG-8018CE
11.400000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 3.5 mA
X1G005591029400
SG-8018CE
52.500000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 5.2 mA
X1G005591029500
SG-8018CE
12.600000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 3.5 mA
X1G005591029600
SG-8018CE
66.666600 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 5.2 mA
X1G005591029700
SG-8018CE
25.000000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 4.4 mA
X1G005591029800
SG-8018CE
10.000000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 3.5 mA
X1G005591029900
SG-8018CE
50.193300 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 5.2 mA
X1G005591030000
SG-8018CE
13.330000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 3.5 mA
X1G005591030100
SG-8018CE
27.600000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 4.4 mA
X1G005591030200
SG-8018CE
68.000000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 5.2 mA
X1G005591030300
SG-8018CE
63.200000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 5.2 mA
X1G005591030400
SG-8018CE
3.840000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 3.5 mA
X1G005591030500
SG-8018CE
20.971520 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 4.4 mA
X1G005591030600
SG-8018CE
4.000000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 3.5 mA
X1G005591030700
SG-8018CE
8.000000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 3.5 mA
X1G005591030800
SG-8018CE
7.159090 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 3.5 mA
X1G005591030900
SG-8018CE
2.048000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 3.5 mA
X1G005591031000
SG-8018CE
25.600000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 4.4 mA
X1G005591031100
SG-8018CE
30.000000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 4.4 mA
X1G005591031200
SG-8018CE
32.500000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 4.4 mA
X1G005591031300
SG-8018CE
22.000000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 4.4 mA
X1G005591031400
SG-8018CE
4.915200 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 3.5 mA
X1G005591031500
SG-8018CE
3.579546 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 3.5 mA
X1G005591031600
SG-8018CE
21.250000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 4.4 mA
X1G005591031700
SG-8018CE
3.612700 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 3.5 mA
有源晶振電路原理及與無源晶振的聯系與區(qū)別有源晶振電路及工作原理簡述有源晶振是由石英晶體組成的,石英晶片之所以能當為振蕩器使用,是基于它的壓電效應：日產晶振在晶片的兩個極上加一電場,會使晶體產生機械變形;在石英晶片上加上交變電壓,晶體就會產生機械振動,同時機械變形振動又會產生交變電場,雖然這種交變電場的電壓極其微弱,但其振動頻率是十分穩(wěn)定的.
愛普生OSC晶振,X1G005591030700有源XO晶振
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