86-0755-27838351
頻率:1.000MHz~133.000MHz
尺寸:5.0*3.2*1.3mm
5032mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產(chǎn)品可驅(qū)動2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機自動焊接,及IR回流焊接(無鉛對應(yīng)),為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.
百利通亞陶晶振,有源晶體振蕩器,FD晶振.智能家居晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領(lǐng)域.比如智能手機,無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
Diodes 公司總部及美洲銷售辦公室位于美國德州普拉諾 (Plano) 與加州米爾皮塔斯 (Milpitas).設(shè)計、營銷與工程中心位于普拉諾、米爾皮塔斯、臺灣臺北;臺灣桃園市、臺灣竹北市、英國曼徹斯特及德國紐豪斯 (Neuhaus).Diodes 百利通亞陶晶振的晶圓生產(chǎn)設(shè)施位于密蘇里州堪薩斯市及曼徹斯特,另外在中國上海亦設(shè)有一座生產(chǎn)設(shè)施.Diodes 在中國上海、濟南、成都、揚州,以及香港、紐豪斯及臺北設(shè)有組裝與測試設(shè)施.另外在多個據(jù)點設(shè)有工程、銷售、倉儲及物流辦公室,包括臺北、香港、曼徹斯特、中國上海、深圳、南韓城南市以及德國慕尼黑,并于世界各地設(shè)有支持辦公室.
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的貼片晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).
百利通亞陶晶振 |
FD晶振 |
輸出類型 |
CMOS |
輸出負載 |
15pF |
振蕩模式 |
基本/第三泛音 |
電源電壓 |
+1.8V |
頻率范圍 |
1.000MHz~133.000MHz |
頻率穩(wěn)定度 |
±20ppm~±50ppm |
工作溫度 |
-20℃~+70℃ -40℃~+85℃ |
保存溫度 |
-55℃~+125℃ |
電壓卷(最大值)/ VOH(最小值) |
0.1 VDD / 0.9 VDD |
啟動時間 |
5 ms Max |
相位抖動(12兆赫~20兆赫) |
1個PS最大 |
老化率 |
±3 ppm /年最大 |
靜電
過高的靜電可能會損壞5032晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.
輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射.
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英耐高溫晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
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