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康華爾電子-中國供應商

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晶振帝國
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日蝕晶振,壓電晶振,EA3560HA12-16.000M晶體

頻率:16.000MHz

尺寸:6.0*3.5*1.2mm

普通石英晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產(chǎn)品本身采用全自動石英晶體檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實驗.產(chǎn)品本身具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對應產(chǎn)品應用到自動貼片機告訴安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

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日蝕晶振,壓電晶振,EA3560HA12-16.000M晶體.智能手機晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.比如智能手機,無線通信,衛(wèi)星導航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

ECLIPTEK進口晶振公司是一家專注于為我們的市場提供高質(zhì)量頻率控制產(chǎn)品系列產(chǎn)品的公司.我們的目標是通過提供無與倫比的客戶服務和對客戶、員工和供應商的長期承諾,穩(wěn)步發(fā)展.為確保這一使命的成功,超過公司的總裁和質(zhì)量部創(chuàng)造了一個質(zhì)量改進手冊.這份基于ISO 9001的文件陳述了超過了任務的任務,以確保任務聲明的持續(xù)履行.本公司質(zhì)量改進手冊的一個基本原則是:黃道質(zhì)量方針.

晶振的真空封裝技術:是指石英SMD晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進行封裝.1.防止外界氣體進入組件體內(nèi)受到污染和增加應力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高.此技術為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一

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日蝕晶振

單位

EA3560HA12-16.000M晶振

石英晶振基本條件

標準頻率

f_nom

16.000MHz

標準頻率

儲存溫度

T_stg

-40°C ~+85°C

裸存

工作溫度

T_use

-20℃~+70℃

標準溫度

激勵功率

DL

1.0μW Max.

推薦:10μW

頻率公差

f_— l

±15ppm

±30ppm

+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息,http://edgebanding.cn/

頻率溫度特征

f_tem

30 × 10-6,±50 × 10-6

超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負載電容

CL

12pF

不同負載要求,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±3× 10-6/year Max.

+25°C,第一年

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EA3560HA12-16.000M 6035

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電源線路

電源的線路阻抗應盡可能低.

輸出負載

建議將石英晶振輸出負載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方(在20 mm范圍之間).

未用輸入終端的處理

未用針腳可能會引起噪聲響應,從而導致非正常工作.同時,當P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加;因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND.

耐焊性:

將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對石英智能家居晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關信息.

機械振動的影響

6035晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響.這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶振產(chǎn)品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作. 

噪音

在電源或輸入端上施加執(zhí)行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導致會引發(fā)功能失?;驌舸┑拈]門或雜散現(xiàn)象.

EA3560HA12-16.000M 6035

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采購:日蝕晶振,壓電晶振,EA3560HA12-16.000M晶體

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