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晶振帝國(guó)
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Statek晶振,高性能晶振,CX4VSM晶振

頻率:32.768KHZ

尺寸:5.0*1.83*1.27mm

32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動(dòng)化,家電領(lǐng)域,移動(dòng)通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無(wú)鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.

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Statek晶振,高性能晶振,CX4VSM晶振.普通貼片石英晶振外觀使用金屬材料封裝的,具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,晶振外觀本身使用金屬封裝,充分的密封性能,可確保其高可靠性,采用編帶包裝,外包裝采用朔膠盤,可在自動(dòng)貼片機(jī)上對(duì)應(yīng)自動(dòng)貼裝等優(yōu)勢(shì).

貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過(guò)滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過(guò)大,用在電路中Q值過(guò)小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定.

Statek提供高精確度和高質(zhì)量的5018晶振的醫(yī)療應(yīng)用.產(chǎn)品包裝尺寸小,功耗低,穩(wěn)定性好.我們是世界一流醫(yī)療器械制造商的信賴供應(yīng)商.我們的在許多醫(yī)學(xué)應(yīng)用中都有.包括醫(yī)療遙測(cè)裝置,起搏器,除顫器,神經(jīng)刺激器,輸液泵,葡萄糖監(jiān)測(cè)儀,助聽(tīng)設(shè)備等等,設(shè)計(jì)援助是可用的.

2

Statek晶振

單位

CX4VSM晶振

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

30kHz~250kHz

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-55°C ~+125°C

裸存

工作溫度

T_use

-10℃~+70℃

-40℃~+85℃

-55℃~+125℃

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵(lì)功率

DL

1.0μW Max.

推薦:10μW

頻率公差

f_— l

±30ppm

±100ppm

±1000ppm

+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://edgebanding.cn/

頻率溫度特征

f_tem

30 × 10-6,±50 × 10-6

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

5.0pF

8.0pF

9.0pF

不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±3× 10-6/year Max.

+25°C,第一年

3

CX4_10103_5.0_1.83

4

化學(xué)制劑/pH值環(huán)境

請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.

請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致無(wú)源晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.

PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo)

(1)理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于音叉晶體器件的PCB板上.如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,最好使用余量或切割PCB.當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí),機(jī)械振動(dòng)程度有所不同.建議遵照內(nèi)部板體特性.

(2)在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝.

(3)在使用焊料助焊劑時(shí),按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JISC60068-2-20/IEC60,068-2-20).來(lái)使用.

(4)請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JISZ3282,Pb含量1000ppm,0.1wt%或更少)來(lái)使用無(wú)鉛焊料.

激勵(lì)功率

在晶體單元上施加過(guò)多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致石英5018石英晶體特性受到損害或破壞.電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率(請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容).

負(fù)極電阻

除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加(請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容).

輻射

晶振產(chǎn)品暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致32.768K晶體性能受到損害,因此應(yīng)避免照射.

CX4VSM

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