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ILSI晶振,32.768K晶振,IL3W壓電石英晶體

頻率：32.768KHZ

尺寸：1.6*1.0*0.5mm

貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因?yàn)榫д癖旧硇⌒突枨蟮氖袌鲱I(lǐng)域,小型?薄型是對應(yīng)陶瓷諧振器(偏差大)和普通的石英晶體諧振器(偏差小)的中間領(lǐng)域的一種性價比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航HDD,SSD,USB,Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.

訂購熱線：86-0755-27838351

ILSI晶振,32.768K晶振,IL3W壓電石英晶體.智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準(zhǔn)時鐘等移動通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準(zhǔn)時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

ILSI America成立于1987年,其使命是成為世界級的ILSI晶振供應(yīng)商.頻率控制產(chǎn)品.通過有機(jī)增長和戰(zhàn)略收購,美國ILSI 現(xiàn)在是廣泛設(shè)計(jì),制造和供應(yīng)的全球領(lǐng)導(dǎo)者,涵蓋四個品牌的組件:ILSI,MMD,Ecliptek和Oscilent.美國ILSI滿足廣泛的要求,滿足OEM和CEM的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn).通過以下產(chǎn)品在許多垂直市場的客戶:壓電石英晶體,晶體振蕩器,MEMS振蕩器,TCXO,VCXO,OCXO,濾波器和諧振器.

石英晶振曲率半徑加工技術(shù):石英晶振晶片在球筒倒邊加工時應(yīng)用到的加工技術(shù),主要是研究滿足不同曲率半徑石英無源晶振晶片設(shè)計(jì)可使用的方法.如:1、是指球面加工曲率半徑的工藝設(shè)計(jì)(a、球面的余弦磨量;b、球面的均勻磨量;c、球面加工曲率半徑的配合)2、在加工時球面測量標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計(jì)原則(曲率半徑公式的計(jì)算)

ILSI晶振	單位	IL3W晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.768KHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C~+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40℃~+85℃	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	1.0μW Max.	推薦:10μW
頻率公差	f_— l	±20ppm	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://edgebanding.cn/
頻率溫度特征	f_tem	30 × 10-6，±50 × 10-6	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	7.0pF 9.0pF 12.5pF	不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6/year Max.	+25°C,第一年

IL3W 1610

負(fù)載電容

振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負(fù)載電容(請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).

晶體振蕩器和實(shí)時時鐘模塊

所有石英晶體振蕩器和實(shí)時時鐘模塊都以IC形式提供.

存儲事項(xiàng)

(1)在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存進(jìn)口高精度石英晶振產(chǎn)品時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性.請?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲藏.正常溫度和濕度:溫度:+15°C至+35°C,濕度25%RH至85%RH(請參閱“測試點(diǎn)JISC60068-1/IEC60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容).

(2)請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶.外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞.

耐焊性

加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害諧振器.如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品,建議使用SMD晶體.在下列回流條件下,對晶體產(chǎn)品甚至1.6x1.0晶振使用更高溫度,會破壞產(chǎn)品特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些產(chǎn)品之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.

自動安裝時的沖擊

自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些進(jìn)口晶體振蕩器.請?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對產(chǎn)品特性產(chǎn)生影響.條件改變時,請重新檢查安裝條件.同時,在安裝前后,請確保石英32.768K晶振未撞擊機(jī)器或其他電路板等.

IL3W晶振艾爾西無源晶振石英晶體諧振器

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