86-0755-27838351
頻率:32.768KHZ
尺寸:2.0*1.2*0.7mm
貼片石英晶體振蕩器,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
微晶晶振,32.768K時鐘晶振,OM-7605-C8振蕩器.2012mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產(chǎn)品可驅(qū)動2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機自動焊接,及IR回流焊接(無鉛對應(yīng)),為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.
石英晶振曲率半徑加工技術(shù):石英晶振晶片在球筒倒邊加工時應(yīng)用到的加工技術(shù),主要是研究滿足不同曲率半徑石英晶振晶片設(shè)計可使用的方法.如:1、是指球面加工曲率半徑的工藝設(shè)計(a、球面的余弦磨量;b、球面的均勻磨量;c、球面加工曲率半徑的配合)2、在加工時球面測量標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計原則(曲率半徑公式的計算)
微晶玻璃MC的管理、環(huán)境與社會責(zé)任原則執(zhí)行MES大綱標(biāo)準(zhǔn),以確保MC設(shè)備的工作條件,以及供應(yīng)鏈合作伙伴的活動支持MC的要求,是安全的,Microcrystal進口石英晶體振蕩器工人是尊重和尊嚴(yán)對待,以及制造過程使用MC和它的作伙伴對環(huán)境負責(zé).
微晶晶振 |
OM-7605-C8晶振 |
輸出類型 |
CMOS |
輸出負載 |
15pF |
振蕩模式 |
基本/第三泛音 |
電源電壓 |
+1.6V~+5.5V |
頻率范圍 |
32.768KHZ |
頻率穩(wěn)定度 |
±20ppm |
工作溫度 |
-40℃~+85℃ |
保存溫度 |
-55℃~+125℃ |
電壓卷(最大值)/ VOH(最小值) |
0.1 VDD / 0.9 VDD |
啟動時間 |
5 ms Max |
相位抖動(12兆赫~20兆赫) |
1個PS最大 |
老化率 |
±3 ppm /年最大 |
輸出負載
建議將輸出負載安裝在盡可能靠近2.0x1.2晶振的地方(在20mm范圍之間).
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作.同時,當(dāng)P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加;因此,請將未用輸入終端連接到VCC或GND.
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動力,會導(dǎo)致石英低功耗晶振特性受到損害或破壞.電路設(shè)計必須能夠維持適當(dāng)?shù)募罟β?請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容).
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻,否則SPXO晶振或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容)
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節(jié)內(nèi)容).
晶體振蕩器和實時時鐘模塊
所有石英晶體壓控控制振蕩器和實時時鐘模塊都以IC形式提供.
噪音
在電源或輸入端上施加執(zhí)行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會引發(fā)功能失常或擊穿的閉門或雜散現(xiàn)象.
電源線路
電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低.
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