86-0755-27838351
頻率:1.000MHz~110.000MHz
尺寸:2.5*2.0*0.75mm
普通有源晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產(chǎn)品本身采用全自動石英晶體檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實驗.產(chǎn)品本身具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體振蕩器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用陶瓷封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對應(yīng)產(chǎn)品應(yīng)用到自動貼片機告訴安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
Sitime晶振,低功耗晶振,SiT8003石英晶體振蕩器.智能家居產(chǎn)品晶振,具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領(lǐng)域.比如智能手機,無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
SiTime公司是一家MEMS和模擬半導(dǎo)體公司,它提供了該行業(yè)最好的定時解決方案.我們的團隊熱衷于在高性能電子產(chǎn)品中解決最困難的時間問題.我們已經(jīng)向世界各地的客戶提供了超過7億部份的產(chǎn)品,在MEMS的時間安排上有90%的份額,并且每年都在以超過50%的速度增長.Sitime晶振是兆大公司(東京證券交易所:6875)的獨立子公司.
晶振的真空封裝技術(shù):是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進行封裝.1.防止外界氣體進入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高.此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.
Sitime晶振 |
SiT8003晶振 |
輸出類型 |
LVCMOS/LVTTL |
輸出負載 |
15pF |
振蕩模式 |
基本/第三泛音 |
電源電壓 |
+1.71V~+3.63V |
頻率范圍 |
1.000MHz~110.000MHz |
頻率 |
±20ppm |
工作溫度 |
-20℃~+70℃ -40℃~+85℃ |
保存溫度 |
-65℃~+150℃ |
電壓卷(最大值)/ VOH(最小值) |
0.1 VDD / 0.9 VDD |
啟動時間 |
5 ms Max |
相位抖動(12兆赫~20兆赫) |
1個PS最大 |
老化率 |
±3 ppm /年最大 |
自動安裝時的沖擊:
石英晶振自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品.請設(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對2520貼片晶振特性產(chǎn)生影響.條件改變時,請重新檢查安裝條件.同時,在安裝前后,請確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機器或其他電路板等.
有源晶振的負載電容與阻抗
負載電容與阻抗有源晶振設(shè)置一個規(guī)定的負載阻抗值.當(dāng)一個值除了規(guī)定的一個設(shè)置為負載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時,指定的值這可能會導(dǎo)致問題例如:失真的輸出波形.特別是設(shè)置電抗,根據(jù)規(guī)范的負載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當(dāng)測量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗,測量儀器的負載阻抗晶體振蕩器.當(dāng)輸入阻抗的測量儀器,不同的負載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略.
抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
耐焊性:
將晶振加熱包裝材料至+150℃以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150℃以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至高精度石英晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.
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