86-0755-27838351
頻率:1.000MHz~220.000MHz
尺寸:7.0*5.0*0.9mm
有源貼片石英晶體振蕩器,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數碼產品市場領域,因產品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
Sitime晶振,石英晶體振蕩器,SiT9105有源晶振.智能手機晶振,產品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.比如智能手機,無線通信,衛(wèi)星導航,平臺基站等較高端的數碼產品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英晶振的切割設計:用不同角度對晶振的石英晶棒進行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其彈性性質,壓電性質,溫度性質不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有AT切、BT切.其它切型還有CT、DT、GT、NT等.
SiTime在MEMS(微機電系統(tǒng))技術、模擬CMOS電路設計和開發(fā)方面具有深厚的技術專長,并具有成本效益的組裝和測試.這些專業(yè)技術的結合,都是在SiTime內部進行的,在計時行業(yè)中是獨一無二的,推動創(chuàng)新的速度要比quartz快得多.Sitime晶振的創(chuàng)新和領導力正在給計時行業(yè)帶來變革.
Sitime晶振 |
SiT9105晶振 |
輸出類型 |
LVCMOS |
輸出負載 |
15pF |
振蕩模式 |
基本/第三泛音 |
電源電壓 |
+2.5V,+3.3V |
頻率范圍 |
1.000MHz~220.000MHz |
頻率 |
±25ppm ±50ppm |
工作溫度 |
-20℃~+70℃ -40℃~+85℃ |
保存溫度 |
-65℃~+150℃ |
電壓卷(最大值)/ VOH(最小值) |
0.1 VDD / 0.9 VDD |
啟動時間 |
5 ms Max |
相位抖動(12兆赫~20兆赫) |
1個PS最大 |
老化率 |
±3 ppm /年最大 |
熱影響
重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英有源晶振產品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
安裝方向
振蕩器的不正確安裝會導致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確.
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導致無法產生振蕩和/或非正常工作.
有源晶振的負載電容與阻抗
負載電容與阻抗3225有源晶振設置一個規(guī)定的負載阻抗值.當一個值除了規(guī)定的一個設置為負載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時,指定的值這可能會導致問題例如:失真的輸出波形.特別是設置電抗,根據規(guī)范的負載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當測量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調整的輸入阻抗,測量儀器的負載阻抗晶體振蕩器.當輸入阻抗的測量儀器,不同的負載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略.
抗沖擊
抗沖擊是指晶振產品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊.如果產品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
耐焊性:
將晶振加熱包裝材料至+150℃以上會破壞產品特性或損害產品.如需在+150℃以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產品.在下列回流條件下,對石英耐高溫晶振產品甚至晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查.如果需要焊接的晶振產品在下列配置條件下進行焊接,請聯系我們以獲取耐熱的相關信息.
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