86-0755-27838351
頻率:10.000MHz~50.000MHz
尺寸:7.0*5.0*2.54mm
普通石英晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產(chǎn)品本身采用全自動(dòng)石英晶體檢測(cè)儀,以及跌落,漏氣等苛刻實(shí)驗(yàn).產(chǎn)品本身具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體振蕩器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對(duì)應(yīng)產(chǎn)品應(yīng)用到自動(dòng)貼片機(jī)告訴安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
格林雷晶振,溫補(bǔ)晶體振蕩器,T70有源晶振.有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接(無鉛對(duì)應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.
Greenray格林雷晶振集團(tuán)致力于研發(fā)生產(chǎn)高精密,性能穩(wěn)定的石英晶體振蕩器,滿足不同客戶的特殊要求,并且具有低噪音,低相位等特點(diǎn).Greenray格林雷有源晶振,壓控振蕩器,(PXO)普通晶體振蕩器,(TCXO)溫補(bǔ)晶體振蕩器,(OCXO)恒溫晶體振蕩器等在產(chǎn)品中使用具備優(yōu)異的振動(dòng)性,耐沖擊等特性.Greenray格林雷還為廣大用戶提供具有良好可靠性,在產(chǎn)品中使用性能穩(wěn)定強(qiáng)的自校準(zhǔn)振蕩器,石英晶體振蕩器.
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的貼片晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).
格林雷晶振 |
T70晶振 |
輸出類型 |
HCMOS |
輸出負(fù)載 |
15pF |
振蕩模式 |
基本/第三泛音 |
電源電壓 |
+3.3V,+5.0V |
頻率范圍 |
10.000MHz~50.000MHz |
頻率穩(wěn)定度 |
±0.1ppm,±0.2ppm,±0.3ppm,±1.0ppm |
工作溫度 |
-10℃~+60℃ -20℃~+70℃ -40℃~+85℃ |
保存溫度 |
-55℃~+90℃ |
電壓卷(最大值)/ VOH(最小值) |
0.1 VDD / 0.9 VDD |
啟動(dòng)時(shí)間 |
5 ms Max |
相位抖動(dòng)(12兆赫~20兆赫) |
1個(gè)PS最大 |
老化率 |
±3 ppm /年最大 |
負(fù)載電容
有源進(jìn)口貼片晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容(請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).
有源晶振的負(fù)載電容與阻抗
負(fù)載電容與阻抗有源7050晶振設(shè)置一個(gè)規(guī)定的負(fù)載阻抗值.當(dāng)一個(gè)值除了規(guī)定的一個(gè)設(shè)置為負(fù)載阻抗輸出頻率和輸出電平不會(huì)滿足時(shí),指定的值這可能會(huì)導(dǎo)致問題例如:失真的輸出波形.特別是設(shè)置電抗,根據(jù)規(guī)范的負(fù)載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當(dāng)測(cè)量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗,測(cè)量?jī)x器的負(fù)載阻抗晶體振蕩器.當(dāng)輸入阻抗的測(cè)量?jī)x器,不同的負(fù)載阻抗的晶體振蕩器,測(cè)量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測(cè)量可以忽略.
機(jī)械處理
當(dāng)有源壓電晶振發(fā)生外置撞擊時(shí),任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時(shí),或者產(chǎn)品不小心跌落時(shí),強(qiáng)烈的外置撞擊都將會(huì)導(dǎo)致晶振損壞,或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象.不執(zhí)行任何強(qiáng)烈的沖擊石英晶體振蕩器.如果一個(gè)強(qiáng)大的沖擊已經(jīng)給振蕩器確保在使用前檢查其特點(diǎn).
激勵(lì)功率
在晶振上施加過多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞.電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率 (請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容).
負(fù)極電阻
除非石英晶體振蕩器回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加(請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容).
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