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晶振帝國
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微晶晶振,壓控晶體振蕩器,VCXO2E晶振

頻率:5.000MHz~40.000MHz

尺寸:5.0*3.2*1.6mm

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅(qū)動CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應)產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產(chǎn)品需要.

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微晶晶振,壓控晶體振蕩器,VCXO2E晶振.貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH/SONET發(fā)射基站等領域.符合RoHS/無鉛.

而今,微晶已經(jīng)發(fā)展成為一家在微型音叉式石英晶體(32kHz ~ 250MHz)、實時時鐘模塊、低電流電壓晶振和OCXO等多個領域的領導供貨商,為世界一流的終端產(chǎn)品制造商提供從設計到量產(chǎn)的全方位支持,服務范圍涵蓋手機、計算機、汽車電子、手表、工業(yè)控制、植入式醫(yī)療及其他高可靠性產(chǎn)品.

有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設計匹配技術(shù):有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過程必須要解決的技術(shù)難題.在設計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設計等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應電壓、起動電壓和產(chǎn)品上升時間、下降時間等相關(guān)參數(shù).

2

微晶晶振

VCXO2E晶振

輸出類型

HC-MOS compatible

輸出負載

3pF、47pF

振蕩模式

基本/第三泛音

電源電壓

0~+3.3V

頻率范圍

5.00MHz~40.00MHz

頻率穩(wěn)定度

±30ppm

±50ppm

±90ppm

±110ppm

±130ppm

工作溫度

-40℃~+85℃

-55℃~+125℃

-10℃~+150℃

-10℃~+175℃

-10℃~+210℃

保存溫度

-65℃~+125℃

電壓卷(最大值)/ VOH(最小值)

0.1 VDD / 0.9 VDD

啟動時間

5 ms Max

相位抖動(12兆赫~20兆赫)

1個PS最大

老化率

±3 ppm /年最大

3

VCXO2E 5032 VCXO

4

電源線路

電源的線路阻抗應盡可能低.

輸出負載

建議將輸出負載安裝在盡可能靠近石英晶體振蕩器的地方(在20mm范圍之間).

未用輸入終端的處理

未用針腳可能會引起噪聲響應,從而導致非正常工作.同時,當P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加;因此,請將未用輸入終端連接到VCC或GND.

激勵功率

在晶體單元上施加過多驅(qū)動力,會導致石英低損耗晶振特性受到損害或破壞.電路設計必須能夠維持適當?shù)募罟β?請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容).

負極電阻

除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容)

負載電容

振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強力調(diào)整,可能只會導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節(jié)內(nèi)容).

晶體振蕩器和實時時鐘模塊

所有石英晶體壓控控制振蕩器和實時時鐘模塊都以IC形式提供.

噪音

在電源或輸入端上施加執(zhí)行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導致會引發(fā)功能失常或擊穿的閉門或雜散現(xiàn)象.

VCXO2E

5

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