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大河晶振,有源貼片晶振,FCXO-07振蕩器

頻率:1.000MHz~80.000MHz

尺寸:1.6*1.2*0.7mm

有源石英貼片晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接(無鉛對應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.
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大河晶振,有源貼片晶振,FCXO-07振蕩器.貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動(dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH/SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片有源晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài).

河エレテック的主力產(chǎn)品,水晶使用的電子元件(水晶設(shè)備),銷售額的約90%以上.在水晶裝置上也有幾種類型,本公司生產(chǎn)的是水晶振動(dòng)和水晶振蕩器.其中業(yè)界獨(dú)有的電子束的氣密封裝工法用橘色的類型(表面安裝型)特化,小型便攜式設(shè)備(手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)游戲等)和近距離無線通信(藍(lán)牙和無線LAN等),汽車電子和醫(yī)療機(jī)器等最先進(jìn)的領(lǐng)域集中在穩(wěn)定的收入,確保了.同時(shí),也作為開發(fā)的概念開發(fā)的概念,在數(shù)碼電子晶振產(chǎn)品的小型化中經(jīng)常領(lǐng)導(dǎo)著業(yè)界的發(fā)展.

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大河晶振

FCXO-07晶振

輸出類型

        CMOS

輸出負(fù)載

15pF

振蕩模式

基本/第三泛音

電源電壓

+1.8V~+3.3V

頻率范圍

1.000MHz~80.000MHz

頻率穩(wěn)定度

±7ppm~±50ppm

工作溫度

-20℃+70℃

-30℃~+85℃

-40℃~+85℃

保存溫度

-40℃~+85℃

電壓卷(最大值)/ VOH(最小值)

0.1 VDD / 0.9 VDD

啟動(dòng)時(shí)間

5 ms Max

相位抖動(dòng)(12兆赫~20兆赫)

1個(gè)PS最大

老化率

±3 ppm /年最大

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FCXO-07_1.6_1.2 OSC

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晶體振蕩器

晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS.閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOSIC一樣考慮.

有些石英晶體振蕩器沒有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接.使用時(shí),請?jiān)赩dd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器(陶瓷片狀電容器等)以短距離連接.關(guān)于個(gè)別機(jī)型請確認(rèn)宣傳冊、規(guī)格書.

晶體濾波器

注意電路板圖形的配置,避免輸入端子和輸出端子靠得太近.

如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大,為了消除該雜散電容,有時(shí)需要配置調(diào)諧電路.

如果過大的激勵(lì)電力對耐高溫晶振外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請?jiān)跒V波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用.

保管

保管在高溫多濕的場所可能會(huì)導(dǎo)致端子軟焊性的老化.

請?jiān)跊]有直射陽光,不發(fā)生結(jié)露的場所保管.

其他

晶體諧振器

如果過大的激勵(lì)電力對進(jìn)口晶振外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請?jiān)谛麄鲀?、?guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用.

讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值.本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上,若是車載和安全設(shè)備,則推薦10倍以上.

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