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SiTime32.768K有源晶振,SiT1630AI-H4-DCC-32.768S,WiFi模塊6G晶振

頻率:32.768KHZ

尺寸:2.0x1.2mm

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32.768K晶振產(chǎn)品超級(jí)適合用于工業(yè)計(jì)時(shí),工業(yè)電池管理,多點(diǎn)32 kHz時(shí)鐘分布,藍(lán)牙模塊,WiFi模塊,RTC參考時(shí)鐘等領(lǐng)域。SiTime32.768K有源晶振,SiT1630AI-H4-DCC-32.768S,WiFi模塊6G晶振.

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SiTime32.768K有源晶振,SiT1630AI-H4-DCC-32.768S,WiFi模塊6G晶振         參數(shù)表

Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit Condition
Frequency and Stability
Output Frequency Fout 32.768 or
16.384
kHz
Frequency Stability
Initial Tolerance[2] F_init 20 ppm TA = 25°C, post reflow, Vdd: 1.5V – 3.63V.
Frequency Stability Over
Temperature[3]
F_stab 75 ppm TA = - 10°C to +70°C, Vdd: 1.5V – 3.63V.
100 TA = -40°C to +85°C, Vdd: 1.5V – 3.63V.
150 TA = -40°C to +105°C, -55°C to +85C, Vdd: 1.8V – 3.63V.
25°C Aging - 1 1 ppm 1st Year
Supply Voltage and Current Consumption
Operating Supply Voltage Vdd 1.5 3.63 V TA = over temperature
Operating Current 2Idd 1.0

μA
TA = 25°C, Vdd: 1.5V – 3.3V. No load
1.3 TA = - 10°C to +70°C, Vdd max: 3.63V. No load
1.4 TA = -40°C to +85°C, Vdd max: 3.63V. No load
2.80 TA = -40°C to +105°C, Vdd max: 3.63V. No load
Power-Supply Ramp t_Vdd
Ramp
100 ms Over temperature, 0 to 90% Vdd
Start-up Time at Power-up T_start 180 300 ms -40°C ≤ TA ≤ 50°C, valid output
450 -40°C ≤ TA ≤ 85°C, valid output
500 + 1
period
TA = - 55°C and +105°C
Operating Temperature Range
Commercial Temperature T_opn - 10 70 °C Temp code “C” in part number ordering
Industrial Temperature -40 85 Temp code “I” in part number ordering
Extended IndustrialTemperature -40 105 Temp code “E” in part number ordering.
Extended Cold Industrial Temperature -55 85 Temp Code “D” in part number ordering.
Automotive Temperature Range -55 105 ContactSiTimefor Availability
LVCMOS Output, TA= Over Temperature, typical values are at TA= 25°C
Output Rise/Fall Time tr, tf 100 200 ns 10-90%, 15 pF load, Vdd = 1.5V to 3.63V
10-90% (Vdd), 5 pF load, Vdd ≥ 1.62V
Output Clock Duty Cycle DC 48 52 %
Output Voltage High VOH 90% V Vdd: 1.5V – 3.63V. I OH = - 10 μA, 15 pF
Output Voltage Low VOL 10% V Vdd: 1.5V – 3.63V. I OL = 10 μA, 15 pF
Maximum Output Drive 50 pF ≥80% LVCMOSswing, TA = over temperature, Vdd = 1.5V to 3.3V
Period Jitter T_jitt 35 nsRMS Cycles = 10,000, TA= 25°C
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SiTime32.768K有源晶振,SiT1630AI-H4-DCC-32.768S,WiFi模塊6G晶振               尺寸圖

SiT1630

SiTime32.768K有源晶振,SiT1630AI-H4-DCC-32.768S,WiFi模塊6G晶振

有源晶振產(chǎn)品特點(diǎn):

<20ppm初始公差

<在-40°C至+85°C范圍內(nèi)的100 ppm穩(wěn)定性

小型SMD封裝:2.0 x 1.2 mm(2012)[1]

SOT23-5工業(yè)和汽車應(yīng)用

超低功率:典型值1.0µA

Vdd供電范圍:1.5V至3.63V

廣泛的工作溫度范圍選項(xiàng)

內(nèi)部濾波消除了外部Vdd旁路電容器

無(wú)鉛,符合RoHS和REACH

SiT1630 1SiT1630 2

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