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TXC晶振,有源晶振,7X晶振,7X02570001晶振

頻率:1-106.25MHZ

尺寸:3.2*2.5mm

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.
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TXC晶振,有源晶振,7X晶振,3225mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產(chǎn)品可驅(qū)動2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機自動焊接,及IR回流焊接(無鉛對應(yīng)),為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.

有源晶振的真空封裝技術(shù):是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進行封裝。1.防止外界氣體進入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一

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TXC晶振規(guī)格

單位 

晶振參數(shù)

石英晶振基本條件

標準頻率

f_nom

1-106.25MHZ

標準頻率

儲存溫度

T_stg

-55°C  +125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C  +85°C

標準溫度

激勵功率

DL

0.5μW 

推薦:1μW  100μW

頻率公差

f_— l

±20× 10-6 (標準),

+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://edgebanding.cn

頻率溫度特征

f_tem

-0.03±0.01× 10-6/-20°C  +70°C

超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負載電容

CL

15pF 

超出標準說明,請聯(lián)系我們.

電源電壓

V

1.8-3.3V


頻率老化

f_age

±3× 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

TXC有源晶振代碼列表:

Manufacturer Part Number原廠代碼 Manufacturer品牌 Series型號 Part Status Type 類型 Frequency 頻率 Frequency Stability頻率穩(wěn)定度 Operating Temperature     工作溫度 Current - Supply (Max) Ratings Mounting Type安裝類型 Package / Case包裝/封裝 Size / Dimension 尺寸 Height - Seated (Max)高度
7WZ-32.768KBD-T TXC CORPORATION 7WZ Active XO (Standard) 32.768kHz ±25ppm -40°C ~ 85°C 3mA - Surface Mount 4-SMD, No Lead 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) 0.056" (1.42mm)
7WZ-32.768KBD-T TXC CORPORATION 7WZ Discontinued at Digi-Key XO (Standard) 32.768kHz ±25ppm -40°C ~ 85°C 3mA - Surface Mount 4-SMD, No Lead 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) 0.056" (1.42mm)
7WZ-32.768KBD-T TXC CORPORATION 7WZ Discontinued at Digi-Key XO (Standard) 32.768kHz ±25ppm -40°C ~ 85°C 3mA - Surface Mount 4-SMD, No Lead 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) 0.056" (1.42mm)

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TXC 7X 3225 CMOS

TXC有源晶振產(chǎn)品列表:

7W 7C 7X 8W 8N 8R

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1抗沖擊

抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。32.768KHZ晶振如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。 

2輻射

將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射。

3化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境

請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。

4粘合劑

請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶的金屬”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)

5鹵化合物

請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。19.2MHZ進口晶振即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。

6靜電

過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。

TXC晶振,有源晶振,7X晶振

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有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.
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